Abstrait

Mobilité des électrons de l'état de surface sur des films d'hélium liquide en géométrie microstructurée

Mohamed AG Ashari

Le présent article traite des études des électrons à l'état de surface (SSE) sur des films d'hélium liquide en géométrie confinée en utilisant des structures de substrat adaptées, microfabriquées sur une plaquette de silicium qui ressemble à des transistors à effet de champ (appelés FET à l'hélium). L'échantillon a des régions source et drain, séparées par une structure de grille, qui se compose de 2 électrodes en or avec un espace étroit (canal) à travers lequel le transport d'électrons a lieu. Après avoir développé un nouveau modèle du nombre d'électrons sauvegardés en fonction de la barrière de grille, il devient plus facile d'étudier la mobilité des SSE. Les résultats expérimentaux montrent une concordance raisonnable avec la littérature.