Abstrait

Conductivité thermique des couches minces de silicium déposées sur alumine poreuse par PECVD

Ktifa S et Ezzaouia H

Dans cet article, nous avons étudié les propriétés thermiques de couches minces de silicium déposées par dépôt chimique en phase vapeur avec plasma (PECVD) sur de l'aluminium poreux en utilisant la technique de déflexion photothermique (PTD). L'objectif de ce travail est d'étudier l'influence du courant d'anodisation (entre 200 et 400 mV) sur la conductivité thermique des échantillons. Nous présentons un modèle computationnel pour déterminer la conductivité thermique K. Les coïncidences entre les courbes expérimentales et théoriques permettent de déduire les valeurs de conductivité thermique avec une bonne précision. En effet, il a été constaté que K décroît avec le courant d'anodisation.