Abstrait

Adsorption et désorption de l'oxygène sur les surfaces d'oxydes semi-conducteurs binaires

A. Haddad, A. Hafidi, N. Chahmat, A. Ain-Souya, R. Ganfoudi et M. Ghers

Français La régénération de couches semiconductrices binaires après adsorptions isothermes d'oxygène à différentes températures réalisées entre 20°C et 350 °C a été étudiée. Les échantillons utilisés sont des couches de CdSe obtenues par évaporation sous vide sur des substrats de verre, des couches d'oxydes de ZnO et SnO2. Ces dernières ont été développées par oxydation de couches de Zn et Sn à des températures respectives de 450°C et 200°C sous gaz O2. Les couches de métaux considérées ont été préparées par les techniques d'évaporation sous vide sur des substrats de verre, d'alumine et de métal, et d'électrodéposition sur des substrats métalliques de natures diverses (cuivre, aluminium, acier…). Les résultats expérimentaux montrent que lors de l'adsorption d'oxygène, la résistance électrique mesurée entre deux points de la surface des échantillons varie en fonction de la température et de la nature des échantillons. Les couches de CdSe et de ZnO adsorbent fortement l'oxygène à haute température autour de 200°C, tandis que le taux d'adsorption maximal d'O2 par SnO2 est obtenu à des températures plus basses. La désorption isotherme réalisée aux mêmes températures d'adsorption montre que les couches peuvent être régénérées mais sur des durées relativement longues. Les couches réchauffées sous O2, aux températures choisies, sont moins sensibles à cet élément. La régénération totale prouve le caractère réversible de l'interaction de l'oxygène avec la surface et renseigne sur la stabilité du matériau.