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Recherche et revues : Journal de physique pure et appliquée

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Abstrait

Caractérisation électromagnétique du transistor MESFET GaAs

Amri Houda et Zaabat Mourad

Dans cet article, nous présentons une étude électromagnétique du transistor MESFET basée sur une méthode itérative. Cette méthode génère la relation entre les ondes incidentes et réfléchies des circuits planaires. La méthode WCIP est développée à partir de l'algorithme de transformation modale rapide

Avertissement: Ce résumé a été traduit à l'aide d'outils d'intelligence artificielle et n'a pas encore été examiné ni vérifié

Faits saillants de la revue

Électromagnétisme Énergie interne Aérospatial Acoustique Astrophysique et Astronomie Cosmologie Forcer La gravité La physique quantique Les lois de Newton Mécanique des fluides Noyaux atomiques Oscillations Oscillations harmoniques Phénoménologie Physique appliquée Physique computationnelle Physique industrielle Physique moléculaire Physique nucléaire Physique pure Physique statistique Propriétés thermiques Radiation Recherche géologique Travail & Énergie

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